GaN/InGaN/GaN能障之InGaN摻雜對藍光發光二極體光電特性之影響 = Effect on Photoelectric Characteristics of Blue Light-Emitting Diodes by Doping in InGaN of GaN/InGaN/GaN

• 作者： 著 楊益菖 (民102電子工程學系碩士班)
• 其他作者：
  • 林瑞明 (電子工程) 指導
  • Yang, Yi Chang
  • Lin, R. M.
• 出版： 桃園縣 : 長庚大學
• 版本：初版
• 主題： 內部量子效應 , 量子侷限史塔克效應 , 能帶填滿效應 , 極化效應 , GaN/InGaN/GaN能障 , Internal Quantum Efficiency(IQE) , Quantum Confined Stark Effect (QCSE) , Band Filling Effect , Polarization Effect , GaN/InGaN/GaN Barrier
• 資料類型: 博碩士論文
• 內容註: 碩士論文-- 長庚大學電子工程學系 含參考書目 校內電子全文開放日期： 2015/08/31 校外電子全文開放日期： 不公開 國圖電子全文開放日期： 2015/08/31 畢業學年度: 102 指導教授: 林瑞明
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