256Mbit DRAM良好的電性特性應用碳離子植入汲極端 = Excellnet Electrical Characterization of 256Mbit DRAM with Carbon-Implanted Drain

• 作者： 著 楊家誠
• 其他作者：
  • 潘同明 指導
  • Yang, Chia Cheng
  • Pan, T. M.
• 出版： 桃園縣 : 長庚大學
• 版本：初版
• 主題： 碳離子植入 , Carbon implant
• 資料類型: 博碩士論文
• 內容註: 碩士論文-- 長庚大學電子工程學研究所 含參考書目 校內電子全文開放日期： 不公開 校外電子全文開放日期： 不公開 畢業學年度: 94 指導教授: 潘同明
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