應用選擇性區域侷限製作高亮度Ⅲ-V族發光二極體之研究 = Luminescence Improvement of Ⅲ-Ⅴ Based Light Emitting Diode by Selective Circuit Region Confinement

• 作者： 著 李仁智 (民99電子工程研究所)
• 其他作者：
  • 林瑞明 (電子工程) 指導
  • Li, Jen Chih
  • Lin, R. M.
• 出版： 桃園縣 : 長庚大學
• 版本：初版
• 主題： Ⅲ-Ⅴ族 , 濕氧化技 , 田口式實驗規劃法 , 最大的亮度 , 外部量子效率 , 側向濕蝕刻技術 , 半高寬值 , 光電特性 , 操作電壓 , luminescence , three kinds , external quantum efficiency , AlAs–GaAs , optical confinements , oxidation process , LED oxidation , analyze significant , maximum brightness performance , wet-oxidation conditions , current blocking area , slightly increased value
• 資料類型: 博碩士論文
• 內容註: 博士論文-- 長庚大學電子工程學系 含參考書目 校內電子全文開放日期： 2012.7.28 校外電子全文開放日期： 不公開 國圖電子全文開放日期： 不公開 畢業學年度: 99 指導教授: 林瑞明
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