高介電常數稀土族氧化物應用於非晶-銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體與薄膜記憶電電晶體之物性及電性分析 = Physical and Electrical Characteristics of High-κ Rare-Earth Oxides for Amorphous-InGaZnO TFT and TFT-Memory Devices

• 作者： 陳慶鴻 (民101電子工程學系碩士班) 著
• 其他作者：
  • 潘同明 指導
  • Chen, Ching Hung
  • Pan, T. M.
• 出版： 桃園縣 : 長庚大學
• 版本：初版
• 主題： 非晶-銦鎵鋅氧化物 , 薄膜電晶體 , 記憶體 , Amorphous-InGaZnO , thin-film transistor , memory
• 資料類型: 博碩士論文
• 內容註: 碩士論文-- 長庚大學電子工程學系 含參考書目 校內電子全文開放日期： 2014.8.1 校外電子全文開放日期： 不公開 國圖電子全文開放日期： 不公開 畢業學年度: 101 指導教授: 潘同明
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