新式增強型氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效應電晶體研製及其在微波電路之應用 = The Investigation of Novel Enhancement mode AlGaN/GaN Heterojunction HEMT and its Application for Microwave ICs

• 作者： 著 陳昭宏 (電子工程學研究所)
• 其他作者：
  • 邱顯欽 指導
  • Chen, Chao Hung
  • Chiu, H. C. (Hsien Chin)
• 出版： 桃園縣 : 長庚大學
• 版本：初版
• 主題： 增強型 , 氮化鎵異質接面場效應電晶體 , 鎢化鈦 , 雙閘極結構 , 三氟化甲烷 , 氧化鋯 , enhancement mode , GaN heterojunction HEMT , titanium tungsten , dual gate structure , CHF3 (trifluoro methane) , ZrO2
• 資料類型: 博碩士論文
• 內容註: 博士論文-- 長庚大學電子工程學系 含參考書目 校內電子全文開放日期： 2013.7.11 校外電子全文開放日期： 不公開 國圖電子全文開放日期： 2013.7.11 畢業學年度: 101 指導教授: 邱顯欽
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