利用氮化鉿鉬金屬閘極及源/汲極氟摻雜在三氧化二釓之p型金氧半場效電晶體負偏壓溫度不穩定測試之研究 = Gd2O3 pMOSFET With HfMoN Metal Gate and S/D Fluorine Implantation Under Negative Bias Temperature Instability (NBTI) Stress

• 作者： 著 李明哲 (民98電子工程學研究所)
• 其他作者：
  • 賴朝松 指導
  • 王哲麒 指導
  • Li, Ming Je
  • Lai, C. S.
  • Wang, J. C. (Je Chi)
• 出版： 桃園縣 : 長庚大學
• 版本：初版
• 主題： 負偏壓不穩定性 , 三氧化二釓 , 氮化鉿鉬 , NBTI , Gd2O3 , HFMON
• 資料類型: 博碩士論文
• 內容註: 碩士論文-- 長庚大學電子工程學研究所 含參考書目 校內電子全文開放日期： 2011.4.27 校外電子全文開放日期： 不公開 國圖電子全文開放日期： 不公開 畢業學年度: 98 指導教授: 賴朝松 指導教授: 王哲麒
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