增強型與高介電係數材料應用於空乏型異質結構高電子遷移率場效電晶體製作與調變上下矽摻雜比之應用 = The Investigation of Enhancement mode / Depletion mode Heterojunction MOSHEMT with High-k insulator and pHEMTs Various Upper/Lower Doping Ratio Designs

• 作者： 著 陳昭宏 (電子工程學研究所)
• 其他作者：
  • 邱顯欽 指導
  • Chen, Chao Hung
  • Chiu, H. C. (Hsien Chin)
• 出版： 桃園縣 : 長庚大學
• 版本：初版
• 主題： 砷化鎵 , 空乏型與增強型異質接面高電子遷移率場效電晶體 , 平面摻雜濃度 , GaAs , Depletion and Enhancement Mode pHEMT , Pr2O3 , planar δ-Doping
• 資料類型: 博碩士論文
• 內容註: 碩士論文-- 長庚大學電子工程學研究所 含參考書目 校內電子全文開放日期： 2009.6.30 校外電子全文開放日期： 不公開 國圖電子全文開放日期： 不公開 畢業學年度: 97 指導教授: 邱顯欽
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