高介電常數材料三氧化二鐿及三氧化二銩閘極介電層應用於非晶-銦鎵鋅氧化薄膜電晶體之物性及電性分析 = Physical and electrical properties of high-k Yb2O3、Tm2O3 gate dielectric layer for amorphous-InGaZnO TFTs application

• 作者： 著 洪孟寧
• 其他作者：
  • 潘同明 指導
  • 林彥亨 指導
  • Hung, Meng Ning
  • Pan, T. M.
  • Lin, Y. H. (Yan Heng)
• 出版： 桃園縣 : 長庚大學
• 版本：初版
• 主題： 三氧化二鐿 , 三氧化二銩 , 鐿鈦氧化層 , Yb2O3 , Tm2O3 , YbTiO
• 資料類型: 博碩士論文
• 內容註: 碩士論文-- 長庚大學電子工程學系 含參考書目 校內電子全文開放日期： 2013.8.10 校外電子全文開放日期： 不公開 國圖電子全文開放日期： 不公開 畢業學年度: 100 指導教授: 潘同明 指導教授: 林彥亨
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